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Paquete IPD034N06N3 Transistor de efecto de campo MOS TO-252, canal N, 60 V/100 A, nuevo y original
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Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
Line front Electronics
Modelo
IPD034N06N3G
Encapsulación
TO-252
Número de lote
18 +
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
60V
Corriente de drenaje (Id)
100A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
3.4
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
20V
Carga de puerta (Qg)
130nC
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard mW
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
Standard
Tipo de instalación
Standard
Campo de aplicación
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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Marca
Line front Electronics
Modelo
IPD034N06N3G
Encapsulación
TO-252
Número de lote
18 +
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
60V
Corriente de drenaje (Id)
100A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
3.4
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
20V
Carga de puerta (Qg)
130nC
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
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Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
Standard
Tipo de instalación
Standard
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Line front Electronics
Modelo
IPD034N06N3G
Encapsulación
TO-252
Número de lote
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Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
60V
Corriente de drenaje (Id)
100A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
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Carga de puerta (Qg)
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Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
Standard
Tipo de instalación
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