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Transistor de efecto de campo MOSFET BSC12DN20NS3G, canal N, 200 V, 11,3 A, 125 miliohmios, TDSON
110 días
$8.220 pedido mín (400 uds)
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BSC12DN20NS3G
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Especificaciones del producto
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Century super thinking
Número de lote
NEW
Campo de aplicación
New energy
Presupuesto
BSC12DN20NS3G
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BSC12DN20NS3G
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