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Tubo de efecto de campo MOS de potencia de canal P NCE01P18K, 100 V, 18 A, parche TO-252, nuevo y original
$6.78
600 – 7,901 uds
$6.28
7,902+ uds
Precio preliminar por pieza incluyendo entrega a México
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
New clean energy
Modelo
NCE01P18K
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje (Id)
18A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
100mΩ @ 10V,16A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
3v @ 250% A
Disipación máxima de potencia
70W
Tipo de configuración
P channel
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalación
Patch
Marca
New clean energy
Modelo
NCE01P18K
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje (Id)
18A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
100mΩ @ 10V,16A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
3v @ 250% A
Disipación máxima de potencia
70W
Tipo de configuración
P channel
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalación
Patch
Marca
New clean energy
Modelo
NCE01P18K
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje (Id)
18A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
100mΩ @ 10V,16A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
3v @ 250% A
Disipación máxima de potencia
70W
Tipo de configuración
P channel
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalación
Patch
Detalles del producto
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IVA
Otro
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