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Nuevo original SI2305CDS-T1-GE3 N5 *** Tubo de efecto de campo Canal P SOT-23 8V/5.8A
110 días
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Proveedor 4.0
Cantidad
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Especificaciones del producto
Marca
Shunbaijia
Modelo
SI2305CDS-T1-GE3
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
8V
Corriente de drenaje (Id)
5.8A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
35mΩ@4.5V,4.4A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
30nC @ 8V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
960
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalación
Surface mount
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
SI2305CDS-T1-GE3
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
8V
Corriente de drenaje (Id)
5.8A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
35mΩ@4.5V,4.4A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
30nC @ 8V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
960
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalación
Surface mount
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
SI2305CDS-T1-GE3
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
8V
Corriente de drenaje (Id)
5.8A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
35mΩ@4.5V,4.4A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
30nC @ 8V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
960
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalación
Surface mount
Campo de aplicación
Security equipment
Detalles del producto
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