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Nuevo transistor de efecto de campo MOSFET de canal N TO-220, paquete IRF2807PBF original, 75 V/82 A
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Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF2807PBF
Encapsulación
TO-220
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
75V
Corriente de drenaje (Id)
82A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
13mΩ @ 10V,43A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
160nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +175 ℃
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF2807PBF
Encapsulación
TO-220
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
75V
Corriente de drenaje (Id)
82A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
13mΩ @ 10V,43A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
160nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +175 ℃
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF2807PBF
Encapsulación
TO-220
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
75V
Corriente de drenaje (Id)
82A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
13mΩ @ 10V,43A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
160nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +175 ℃
Campo de aplicación
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