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Transistor de efecto de campo MOS de canal P dual Heketai APM4953 con encapsulado de serigrafía 4953 SOP8 de 4,9 A/30 V
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Producto 5.0
Proveedor 4.0
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Especificaciones del producto
Marca
Shunbaijia
Modelo
APM4953
Encapsulación
SOP8
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
2 P channels
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
4.9A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
48mΩ @ 10V,5.1A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1.6V@250uA
Carga de puerta (Qg)
12nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Refer to PDF
Disipación máxima de potencia
2
Tipo de configuración
Refer to PDF
Rango de temperatura de funcionamiento
-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
APM4953
Encapsulación
SOP8
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
2 P channels
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
4.9A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
48mΩ @ 10V,5.1A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1.6V@250uA
Carga de puerta (Qg)
12nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Refer to PDF
Disipación máxima de potencia
2
Tipo de configuración
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Rango de temperatura de funcionamiento
-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
APM4953
Encapsulación
SOP8
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
2 P channels
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
4.9A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
48mΩ @ 10V,5.1A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1.6V@250uA
Carga de puerta (Qg)
12nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
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Disipación máxima de potencia
2
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-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
Security equipment
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