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Diodo de alta eficiencia JDW Crystal micro US3DBF SMBF 3A200V, diodo de recuperación de alta eficiencia
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Variaciones
Latest year
Especificaciones del producto
Marca
Crystal Conduction Micro
Modelo
US3DBF
Encapsulación
SMBF
Número de lote
Latest year
Tipo de configuración
High Efficiency Diode/High Efficiency Recovery Diode
Tensión inversa máxima
200V
Corriente máxima de sobretensión
80A
Voltaje directo (Vf)
1V
Corriente directa (Si)
3000
Corriente inversa (Ir)
5uA
Tiempo de recuperación
50ns
Encapsulación/Shell
Silicon, Copper, Epoxy
Rango de temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ +125 ℃
Campo de aplicación
3C digital
Marca
Crystal Conduction Micro
Modelo
US3DBF
Encapsulación
SMBF
Número de lote
Latest year
Tipo de configuración
High Efficiency Diode/High Efficiency Recovery Diode
Tensión inversa máxima
200V
Corriente máxima de sobretensión
80A
Voltaje directo (Vf)
1V
Corriente directa (Si)
3000
Corriente inversa (Ir)
5uA
Tiempo de recuperación
50ns
Encapsulación/Shell
Silicon, Copper, Epoxy
Rango de temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ +125 ℃
Campo de aplicación
3C digital
Marca
Crystal Conduction Micro
Modelo
US3DBF
Encapsulación
SMBF
Número de lote
Latest year
Tipo de configuración
High Efficiency Diode/High Efficiency Recovery Diode
Tensión inversa máxima
200V
Corriente máxima de sobretensión
80A
Voltaje directo (Vf)
1V
Corriente directa (Si)
3000
Corriente inversa (Ir)
5uA
Tiempo de recuperación
50ns
Encapsulación/Shell
Silicon, Copper, Epoxy
Rango de temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ +125 ℃
Campo de aplicación
3C digital
Detalles del producto
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Total
Entrega
IVA
Otro
27 mar
No disponible
No requerido
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