IRFR220NTRPBF IRFR220 TO-252-3 Tubo de efecto de campo de canal N 200V

Modelo:IRFR220NTRPBF
Empaque: 2000/bandeja
Categoría: Semiconductores Discretos
Familia de productos: Transistor FET MOSFET simple
Serie:HEXFET
Tipo de FET: Canal N
Categoría: MOSFET Óxido Metálico
Tensión drenaje-fuente: 200V
Corriente de fuga continua:
Voltaje de accionamiento: 10 V
Rds On a diferentes Id, Vgs: 600 miliohmios @ 2.9A, 10V
Vgs(th) a diferentes Id: 4V @ 250µA
Carga de puerta a diferentes Vgs: 23nC @ 10V
Vgs：±20V
Capacitancia de entrada a diferentes Vds: 300pF @ 25V
Disipación de potencia: 43W
Temperatura de operación: -55°C ~ 175°C
Paquete: DPAK TO-252-3

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