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NCE2060K TO-252-2(DPAK) Transistor de efecto de campo MOS de canal N de parche de 60 A y 20 V de alta potencia
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Especificaciones del producto
Marca
AJT
Modelo
NCE2060K
Encapsulación
TO-252-2(DPAK)
Número de lote
New batch number
Tipo de transistor
N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
20V
Corriente de drenaje (Id)
60A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
6mΩ@4.5V,20A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
Standard
Disipación máxima de potencia
60000
Tipo de configuración
Patch
Rango de temperatura de funcionamiento
-55+150
Tipo de instalación
Patch
Campo de aplicación
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
AJT
Modelo
NCE2060K
Encapsulación
TO-252-2(DPAK)
Número de lote
New batch number
Tipo de transistor
N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
20V
Corriente de drenaje (Id)
60A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
6mΩ@4.5V,20A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
Standard
Disipación máxima de potencia
60000
Tipo de configuración
Patch
Rango de temperatura de funcionamiento
-55+150
Tipo de instalación
Patch
Campo de aplicación
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
AJT
Modelo
NCE2060K
Encapsulación
TO-252-2(DPAK)
Número de lote
New batch number
Tipo de transistor
N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
20V
Corriente de drenaje (Id)
60A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
6mΩ@4.5V,20A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
Standard
Disipación máxima de potencia
60000
Tipo de configuración
Patch
Rango de temperatura de funcionamiento
-55+150
Tipo de instalación
Patch
Campo de aplicación
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Detalles del producto
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