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Diodo Schottky de alta potencia MBR10150D TO-251, 10 A/150 V, suministro original de alta calidad.
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Variaciones
New Year
Especificaciones del producto
Modelo
MBR10150D
Encapsulación
TO-251
Número de lote
New Year
Corriente directa (Si)
10A
Voltaje repetitivo inverso (Vrrm)
150
Voltaje directo (Vf)
Typ:0.8V - Max0.87V
Corriente de entrada directa (Ifsm)
190A
Materiales
Silicon, Copper, Epoxy
Tipo de configuración
High Power Schottky Diode
Corriente inversa (Ir)
Typ:0.7μA - Max:5μA
Rango de temperatura de funcionamiento
-10 ℃ ~ +105 ℃
Campo de aplicación
Household appliances
Modelo
MBR10150D
Encapsulación
TO-251
Número de lote
New Year
Corriente directa (Si)
10A
Voltaje repetitivo inverso (Vrrm)
150
Voltaje directo (Vf)
Typ:0.8V - Max0.87V
Corriente de entrada directa (Ifsm)
190A
Materiales
Silicon, Copper, Epoxy
Tipo de configuración
High Power Schottky Diode
Corriente inversa (Ir)
Typ:0.7μA - Max:5μA
Rango de temperatura de funcionamiento
-10 ℃ ~ +105 ℃
Campo de aplicación
Household appliances
Modelo
MBR10150D
Encapsulación
TO-251
Número de lote
New Year
Corriente directa (Si)
10A
Voltaje repetitivo inverso (Vrrm)
150
Voltaje directo (Vf)
Typ:0.8V - Max0.87V
Corriente de entrada directa (Ifsm)
190A
Materiales
Silicon, Copper, Epoxy
Tipo de configuración
High Power Schottky Diode
Corriente inversa (Ir)
Typ:0.7μA - Max:5μA
Rango de temperatura de funcionamiento
-10 ℃ ~ +105 ℃
Campo de aplicación
Household appliances
Detalles del producto
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Total
Entrega
IVA
Otro
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