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Transistor de efecto de campo MOSFET de canal P IRFR5305TRPBF FR5305 TO-252 original 55V/31A

110 días
$4.776 pedido mín (600 uds)
Proveedor 4.0

Cantidad

Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR5305TRPBF
Encapsulación
TO-252
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
55V
Corriente de drenaje (Id)
31A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
65mΩ @ 10V,16A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250% A
Carga de puerta (Qg)
Refer to PDF
Tiempo de recuperación inversa
Refer to PDF
Disipación máxima de potencia
110
Tipo de configuración
Refer to PDF
Rango de temperatura de funcionamiento
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Tipo de instalación
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Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR5305TRPBF
Encapsulación
TO-252
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
55V
Corriente de drenaje (Id)
31A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
65mΩ @ 10V,16A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250% A
Carga de puerta (Qg)
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Tiempo de recuperación inversa
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Disipación máxima de potencia
110
Tipo de configuración
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Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR5305TRPBF
Encapsulación
TO-252
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
55V
Corriente de drenaje (Id)
31A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
65mΩ @ 10V,16A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250% A
Carga de puerta (Qg)
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