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Pan Cun 2G4G8G Memoria USB DDR3lL1600 Bajo Voltaje Memoria para Portátil 1.35V Mini Placa Base para Host
110 días
$29.840 pedido mín (80 uds)
Proveedor 4.0
Variaciones
2GB
4GB
8GB
Productos similares a un precio más bajo
Especificaciones del producto
Marca
Pan Cun
Modelo
PCD3SO2G135
Tipo aplicable
Notebook
Tipo de memoria
DDRIII
Frecuencia de memoria
DDR3 1333
Número de pines
204PIN
Encapsulación de partículas
BGA
Tamaño del producto
67.6mm*30mm
Peso del producto
0.09
Admite entrega de una sola pieza
Support
Factura
Invoice Not provided
Embalaje
Bulk
Tipo de transferencia
DDR3
Forma de combinación
Single bar
Capacidad de memoria
2GB, 4GB, 8GB
Marca
Pan Cun
Modelo
PCD3SO2G135
Tipo aplicable
Notebook
Tipo de memoria
DDRIII
Frecuencia de memoria
DDR3 1333
Número de pines
204PIN
Encapsulación de partículas
BGA
Tamaño del producto
67.6mm*30mm
Peso del producto
0.09
Admite entrega de una sola pieza
Support
Factura
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Embalaje
Bulk
Tipo de transferencia
DDR3
Forma de combinación
Single bar
Capacidad de memoria
2GB, 4GB, 8GB
Marca
Pan Cun
Modelo
PCD3SO2G135
Tipo aplicable
Notebook
Tipo de memoria
DDRIII
Frecuencia de memoria
DDR3 1333
Número de pines
204PIN
Encapsulación de partículas
BGA
Tamaño del producto
67.6mm*30mm
Peso del producto
0.09
Admite entrega de una sola pieza
Support
Factura
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Embalaje
Bulk
Tipo de transferencia
DDR3
Forma de combinación
Single bar
Capacidad de memoria
2GB, 4GB, 8GB
Detalles del producto
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DDR3/DDR4 NB
Características:
Chips originales nuevos cuidadosamente seleccionados
Especificación: NB
Frecuencia: DDR3: 1333MHz / 1600MHz
DDR4：2400MHz / 2666MHz
Capacidad: DDR3: 2GB/4GB/8GB
DDR4：4GB/8GB/16GB
Temperatura de trabajo: 0℃~70℃
SO-DIMM de Bajo Voltaje 1.35V
Estabilidad ultra alta, excelente compatibilidad
Parámetros de rendimiento
| Parámetros de especificación del módulo de memoria DDR3/DDR4 para portátil | ||
| Parámetros de memoria | nombre del producto | PCDDR3L-NB-XXGB PCDDR4L-NB-XXGB |
| Periodo de trabajo | CL=11，TRCD=11，TRP=11 | |
| Capacidad de memoria | DDR3：2GB，4GB，8GB DDR4：4GB，8GB，16GB | |
| Modelo de chip | DDR3L/DDR4L | |
| Estructura del chip | 1R*8 ； 2R*8 | |
| Marca de chips | Samsung | |
| ECC | ninguno | |
| BUFFER | ninguno | |
| Modelo de PCB | ZH84BS801 | |
| Requisitos ambientales | Temperatura de funcionamiento | 0℃~85℃ |
| Humedad de trabajo | Temperatura relativa: 10%~90% | |
| temperatura de almacenamiento | -50℃~100℃ | |
| Humedad de almacenamiento | Humedad relativa: 5%~95% | |
| Presión de trabajo del almacenamiento | 69~105KPa | |
| SPD | El SPD debe cumplir con los requisitos de los estándares JEDEC DDR3/DDR4 | |
| Parámetros de rendimiento de la placa de circuito impreso (PCB) | Material | FR-4 |
| Espesor del producto terminado | 1.0±0.1 mm | |
| Espesor de oro niquelado: Ω | Au：2-3u/Ni：120-140u | |
| Ancho de línea | 0,075 mm | |
| Interlineado | 0,1 mm | |
| Flexión y deformación de la placa | <0.75% | |
| Prueba de soldabilidad | IPC-TM650 | |
| Pintura de Resistencia a la Soldadura | Negro (espesor de 0.1 mm o más) | |
| Tamaño de pieza única | 30.00*67.6+-0.1mm | |
| impedancia | Un solo extremo 60 Ohm±10% Diferencial 95/100Ohm±15% | |
| Número de capas | Placa de 8 capas | |
| Voltaje de alimentación y parámetros de CC: | ||
| parámetro | Valor mínimo (V) | Valor máximo (V) |
| VDD (Voltaje de Suministro) | 1.283 | 1.45 |
| VDDQ(Voltaje de Suministro I/O) | 1.283 | 1.45 |
| VREF(Voltaje de Referencia de E/S) | 0.49*VDD | 0.51*VDD |
| VTT(Voltaje de Terminación de E/S （sistema）) | VREF-0.04 | VREF+0.04 |
Total