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1 de 6
MOSFET de Canal N 4N60 SMD, parâmetros completos, 4A, 600V, baixa resistência interna, chip de Taiwan, TO-252
90 dias
Mín. R$ 1.437 (1.671 un.)
Fornecedor 4.5
Cantidad
4N60
Coincidencias exactas a un precio más bajo
desde
BRL 0.71
Transistor de Efeito de Campo MOS Canal N 7N60, parâmetros completos, 7A, 600V, baixa resistência interna, chip de Taiwan, TO-252
Mín. R$ 1.266 (1.217 un.)
Fornecedor 4.5
Productos similares a un precio más bajo
desde
BRL 0.33
Transistor de efeito de campo MOSFET de canal N padrão 60A/20V, encapsulamento TO-252, 60N02. Novo em estoque.
Mín. R$ 1.392 (2.677 un.)
Fornecedor 4.0
desde
BRL 0.34
Transistor Mos de Efeito de Campo 20N06 To-252 Chip Grande Doméstico 20A 60V Canal N Corrente Total 20N06 Smd
Mín. R$ 1.339 (2.677 un.)
Produto 4.9
Fornecedor 4.5
desde
BRL 0.37
50N03 Chip Grande Doméstico com Parâmetros Suficientes Canal N 50A 30V Tubo Mos Smd To-252 com Fluxo Suficiente e Baixa Resistência Interna
Mín. R$ 1.434 (2.390 un.)
Produto 5.0
Fornecedor 4.5
desde
BRL 0.37
80N03 Produção de Taiwan chip grande parâmetro do pé N canal 80A 30v tubo MOS de montagem em superfície TO-252 fluxo de pé baixa resistência interna
Mín. R$ 1.458 (2.390 un.)
Produto 5.0
Fornecedor 4.5
desde
BRL 0.37
Transistor de efeito de campo 60N03 Canal N MOS grande chip 60A 30v fluxo de pé baixa resistência interna patch TO-252
Mín. R$ 1.362 (2.390 un.)
Produto 5.0
Fornecedor 4.5
desde
BRL 0.39
MOSFET de efeito de campo canal N padrão 60A/60V, encapsulamento TO-252 60N06, novo em estoque
Mín. R$ 1.316 (2.231 un.)
Fornecedor 4.0
desde
BRL 0.45
Transistor Mos de Efeito de Campo Canal N 30N06 To-252 Grande Chip Doméstico 30A 60V Fluxo Total 30N06 Montagem em Superfície
Mín. R$ 1.582 (2.028 un.)
Produto 5.0
Fornecedor 4.5
desde
BRL 0.45
60N02 Produção de Taiwan parâmetro de pé de chip grande Canal N 60A 20V tubo MOS de montagem em superfície TO-252 pé de fluxo baixo resistência interna
Mín. R$ 1.262 (1.912 un.)
Produto 5.0
Fornecedor 4.5
desde
BRL 0.48
IRFR024N Produtos de Taiwan substituem o tubo MOS de canal N original FR024 baixa resistência interna 55v 17A patch TO-252
Mín. R$ 1.431 (1.859 un.)
Fornecedor 4.5
desde
BRL 0.48
IRLR024N Produtos de Taiwan substituem tubo MOS de canal N original de baixa resistência interna 55v 17A patch pacote TO-252
Mín. R$ 1.281 (1.912 un.)
Fornecedor 4.5
desde
BRL 1.38
Transistor de Efeito de Campo Mos Tube Canal N Fqd4N65 4N65 To-252 Fabricado em Taiwan 650V 4A Original Mos de Alta Tensão
Mín. R$ 3.973 (1.806 un.)
Fornecedor 5.0
desde
BRL 1.48
Transistor de Efeito de Campo Mos Ks4N60Ds 4N60 To-252 600V 4A Fqd4N60 Fabricado em Taiwan
Mín. R$ 3.475 (1.485 un.)
Fornecedor 5.0
Especificaciones del producto
Marca
RWTNF/Ruitengfeng
Número do lote
25+
Especificações
4N60
Tipo de configuração
MOSFET Field Effect Transistor
Tempo de recuperação reversa
Contact customer service
Marca
RWTNF/Ruitengfeng
Número do lote
25+
Especificações
4N60
Tipo de configuração
MOSFET Field Effect Transistor
Tempo de recuperação reversa
Contact customer service
Marca
RWTNF/Ruitengfeng
Número do lote
25+
Especificações
4N60
Tipo de configuração
MOSFET Field Effect Transistor
Tempo de recuperação reversa
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