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IPW60R199CP 6R199P Transistor de efecto de campo MOS Canal N 16A/650V Transistor TO-247
110 días
$6.960 pedido mín (400 uds)
Proveedor 4.0
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
Shenzhen Ding Jiyuan Electronic Technology
Modelo
IPW60R199CP
Encapsulación
TO-247
Número de lote
2023
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
650
Corriente de drenaje (Id)
16
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
Standard
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
Standard
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
88
Tipo de configuración
Field effect transistor
Rango de temperatura de funcionamiento
-30-+350
Tipo de instalación
Direct plug
Campo de aplicación
Smart Home
Marca
Shenzhen Ding Jiyuan Electronic Technology
Modelo
IPW60R199CP
Encapsulación
TO-247
Número de lote
2023
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
650
Corriente de drenaje (Id)
16
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
Standard
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
Standard
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
88
Tipo de configuración
Field effect transistor
Rango de temperatura de funcionamiento
-30-+350
Tipo de instalación
Direct plug
Campo de aplicación
Smart Home
Marca
Shenzhen Ding Jiyuan Electronic Technology
Modelo
IPW60R199CP
Encapsulación
TO-247
Número de lote
2023
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
650
Corriente de drenaje (Id)
16
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
Standard
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
Standard
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
88
Tipo de configuración
Field effect transistor
Rango de temperatura de funcionamiento
-30-+350
Tipo de instalación
Direct plug
Campo de aplicación
Smart Home
Detalles del producto
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