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Transistor de efecto de campo MOSFET de conexión directa, nuevo y original, IRF840PBF TO-220, canal N, 500 V/8 A
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF840PBF
Encapsulación
TO-220
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
500V
Corriente de drenaje (Id)
8A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
850mΩ@4.8A,10V
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
63nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalación
Through Hole
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF840PBF
Encapsulación
TO-220
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
500V
Corriente de drenaje (Id)
8A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
850mΩ@4.8A,10V
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
63nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalación
Through Hole
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF840PBF
Encapsulación
TO-220
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
500V
Corriente de drenaje (Id)
8A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
850mΩ@4.8A,10V
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
63nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalación
Through Hole
Campo de aplicación
Security equipment
Detalles del producto
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IVA
Otro
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