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Transistor de efecto de campo Long Crystal CJ2324 S24 SOT-23 NMOS, componentes electrónicos originales, circuito integrado
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ2324 S24
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje (Id)
2A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
195 Mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
± 20V
Carga de puerta (Qg)
Detailed reference specification
Tiempo de recuperación inversa
Detailed reference specification
Disipación máxima de potencia
Detailed reference specification
Tipo de configuración
NMOS field effect transistor
Rango de temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ2324 S24
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje (Id)
2A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
195 Mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
± 20V
Carga de puerta (Qg)
Detailed reference specification
Tiempo de recuperación inversa
Detailed reference specification
Disipación máxima de potencia
Detailed reference specification
Tipo de configuración
NMOS field effect transistor
Rango de temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ2324 S24
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje (Id)
2A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
195 Mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
± 20V
Carga de puerta (Qg)
Detailed reference specification
Tiempo de recuperación inversa
Detailed reference specification
Disipación máxima de potencia
Detailed reference specification
Tipo de configuración
NMOS field effect transistor
Rango de temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Detalles del producto
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Total
Entrega
IVA
Otro
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