Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Estilo de instalación: Agujero pasante
Paquete/Caja: TO-220-3
Polaridad del transistor: canal N
Número de canales: 1 canal
Tensión de ruptura Vds-drenaje-fuente: 200 V
Id-Corriente de Drenaje Continua: 18 A
Resistencia de encendido drenaje-fuente: 150 mOhms
Vgs - Voltaje de puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - voltaje umbral de puerta-fuente: 2 V
Carga de la puerta Qg: 44.7 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 175 C
Pd - Disipación de potencia: 150 W
Modo de canal: Mejora
Paquete: Tubo
Marca registrada: Infineon Technologies
Configuración: Individual
Tiempo de caída: 5.5 ns
Transconductancia directa - mínima: 6.8 S
Altura: 15.65 mm
Longitud: 10 mm
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 19 ns
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canal N
Tiempo de retardo de apagado típico: 23 ns
Tiempo típico de retardo de encendido: 10 ns
Ancho: 4,4 mm
Número de parte Alias: IRF640NPBF SP001570078
Peso unitario: 2 g