Tubo MOS de canal N original nuevo, 60 V, 260 mA, paquete 2N7002ET1G, serigrafía SOT23-3, 703

110 días
$3.188 pedido mín (3.356 uds)
Proveedor 4.0

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Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
Original factory
Modelo
2N7002ET1G
Encapsulación
SOT23-3
Número de lote
New batch
Tipo de transistor
Field effect transistor
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
60
Corriente de drenaje (Id)
260
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
Standard
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
Standard
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
88
Tipo de configuración
N channel
Rango de temperatura de funcionamiento
Standard
Tipo de instalación
Patch
Campo de aplicación
Smart Home
Marca
Original factory
Modelo
2N7002ET1G
Encapsulación
SOT23-3
Número de lote
New batch
Tipo de transistor
Field effect transistor
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
60
Corriente de drenaje (Id)
260
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
Standard
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
Standard
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
88
Tipo de configuración
N channel
Rango de temperatura de funcionamiento
Standard
Tipo de instalación
Patch
Campo de aplicación
Smart Home
Marca
Original factory
Modelo
2N7002ET1G
Encapsulación
SOT23-3
Número de lote
New batch
Tipo de transistor
Field effect transistor
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
60
Corriente de drenaje (Id)
260
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
Standard
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
Standard
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
88
Tipo de configuración
N channel
Rango de temperatura de funcionamiento
Standard
Tipo de instalación
Patch
Campo de aplicación
Smart Home
Detalles del producto
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