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Chip de circuito integrado de tubo MOS de efecto de campo con parche original nuevo SOT563, paquete SI1024X-T1-E3
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Proveedor 4.0
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Especificaciones del producto
Marca
Original factory
Modelo
SI1024X-T1-E3
Encapsulación
SOT-563
Número de lote
New batch
Tipo de transistor
Field effect transistor
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
Reference Specification
Corriente de drenaje (Id)
Reference Specification
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
Reference Specification
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
Reference Specification
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
88
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
Reference Specification
Tipo de instalación
Patch
Campo de aplicación
Smart Home
Marca
Original factory
Modelo
SI1024X-T1-E3
Encapsulación
SOT-563
Número de lote
New batch
Tipo de transistor
Field effect transistor
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
Reference Specification
Corriente de drenaje (Id)
Reference Specification
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
Reference Specification
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
Reference Specification
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
88
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
Reference Specification
Tipo de instalación
Patch
Campo de aplicación
Smart Home
Marca
Original factory
Modelo
SI1024X-T1-E3
Encapsulación
SOT-563
Número de lote
New batch
Tipo de transistor
Field effect transistor
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
Reference Specification
Corriente de drenaje (Id)
Reference Specification
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
Reference Specification
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
Reference Specification
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
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Tipo de configuración
Standard
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Reference Specification
Tipo de instalación
Patch
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