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IRF630 Paquete TO-220 9A200V Tubo de efecto de campo MOS de canal N de conexión directa fabricante en stock suministro
110 días
$3.018 pedido mín (1.016 uds)
Proveedor 4.0
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
IR
Modelo
IRF630
Encapsulación
TO-220
Número de lote
18
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
200V
Corriente de drenaje (Id)
9A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
400mΩ @ 10V,4.5A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
IRF630
Tiempo de recuperación inversa
Field effect transistor
Disipación máxima de potencia
75W
Tipo de configuración
N-channel MOS tube
Rango de temperatura de funcionamiento
150
Tipo de instalación
Direct plug
Campo de aplicación
3C digital
Marca
IR
Modelo
IRF630
Encapsulación
TO-220
Número de lote
18
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
200V
Corriente de drenaje (Id)
9A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
400mΩ @ 10V,4.5A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
IRF630
Tiempo de recuperación inversa
Field effect transistor
Disipación máxima de potencia
75W
Tipo de configuración
N-channel MOS tube
Rango de temperatura de funcionamiento
150
Tipo de instalación
Direct plug
Campo de aplicación
3C digital
Marca
IR
Modelo
IRF630
Encapsulación
TO-220
Número de lote
18
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
200V
Corriente de drenaje (Id)
9A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
400mΩ @ 10V,4.5A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
IRF630
Tiempo de recuperación inversa
Field effect transistor
Disipación máxima de potencia
75W
Tipo de configuración
N-channel MOS tube
Rango de temperatura de funcionamiento
150
Tipo de instalación
Direct plug
Campo de aplicación
3C digital
Detalles del producto
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