Categoría de producto: MOSFET

RoHS: No
Tecnología: Si
Estilo de instalación: Agujero pasante
Paquete/Caja: TO-220-3
Polaridad del transistor: canal P
Número de canales: 1 canal
Tensión de ruptura Vds-drenaje-fuente: 60 V
Id-Corriente de drenaje continua: 30 A
Resistencia de entrada/salida de drenaje Rds: 65 mOhms
Vgs - Voltaje de puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 175 C
Pd - Disipación de potencia: 135 W
Modo de canal: Mejora
Marca registrada: onsemi / Fairchild
Configuración: Individual
Tiempo de caída: 18 ns
Altura: 16,3 mm
Longitud: 10,67 mm
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 23 ns
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canal P
Tiempo de retardo de apagado típico: 28 ns
Tiempo de retardo de encendido típico: 15 ns
Ancho: 4,7 mm
Peso unitario: 2 g