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BSZ099N06LS5 transistor de efecto de campo canal N 60V 46A 9.9 miliohmios TSDSON-8

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Transistor de efecto de campo MOSFET BSZ0910LS, canal N, 30 V, 40 A, 4,5 miliohmios, tubo MOS TDFN-8
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Transistor de efecto de campo BSZ120P03NS3G MOSFET canal P 30v 40A 12 miliohmios DFN tubo MOS
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IRF7490TRPBF FET MOSFET Canal N 100 V 5,4 A SOP-8
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Transistor de efecto de campo IPD60R750E6, canal N, 600 V, 5,7 A, 750 miliohmios, TO-252
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Transistor de efecto de campo MOSFET BSC0902NSI, canal N, 30 V, 100 A, 2,8 miliohmios, tubo MOS TDFN
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IPD068P03L3G transistor de efecto de campo MOSFET canal P 30v 70A 6.8 miliohmios TO-252-3
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Transistor de efecto de campo BSC094N06LS5, canal N, 60 V, 47 A, 9,4 miliohmios, TDSON-8
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Transistor de efecto de campo MOSFET canal N IRFR15N20DTRPBF 200V 17A 165 miliohmios TO252
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BSC0504NSI MOSFET FET Canal N 30V 72A 3.7 miliohmios TDFN
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Transistor de efecto de campo BSC123N10LSG canal N 100V 71A 12.3 miliohmios TDFN-8
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ISZ0703NLS MOSFET Canal N 60V 56A 7.3 miliohmios TDFN
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Transistor de efecto de campo MOSFET de canal N, 100 V, 100 A, 4 miliohmios, tubo DFN MOS, BSC040N10NS5
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BSZ099N06LS5

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