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Transistor de efecto de campo BSC004NE2LS5, canal N, 25 V, 479 A, 0,45 miliohmios, TDFN

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Transistor de efecto de campo MOSFET BSZ0910LS, canal N, 30 V, 40 A, 4,5 miliohmios, tubo MOS TDFN-8
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IPD25N06S4L-30 transistor de efecto de campo de grado automotriz canal N 60V 25A TO-252
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Transistor de efecto de campo BSZ120P03NS3G MOSFET canal P 30v 40A 12 miliohmios DFN tubo MOS
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IRF7490TRPBF FET MOSFET Canal N 100 V 5,4 A SOP-8
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Transistor de efecto de campo IPD60R750E6, canal N, 600 V, 5,7 A, 750 miliohmios, TO-252
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Transistor de efecto de campo IRF40R207 MOSFET de canal N, 40 V, 56 A, 5,1 miliohmios, tubo MOS TO-252
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Transistor de efecto de campo MOSFET BSC0902NSI, canal N, 30 V, 100 A, 2,8 miliohmios, tubo MOS TDFN
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Transistor de efecto de campo original IPD33CN10NG MOSFET de canal N, 100 V, 27 A, tubo MOS TO-252
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Transistor de efecto de campo BSC094N06LS5, canal N, 60 V, 47 A, 9,4 miliohmios, TDSON-8
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IPD180N10N3G FET MOSFET Canal N 100V 43A 18m TO-252
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BSC0504NSI MOSFET FET Canal N 30V 72A 3.7 miliohmios TDFN
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