Transistor de Efecto de Campo MOS Si2307A Serigrafía A7Shb Sot-23 30V/3.5A Canal P Original Umw
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Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
UMW
Modelo
SI2307
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
New year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
3.5A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
Standard
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
Standard
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
Standard
Tipo de instalación
Standard
Campo de aplicación
Household appliances, 3c digital, Measuring instrument, Security equipment, Lighting electronics
Marca
UMW
Modelo
SI2307
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
New year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
3.5A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
Standard
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
Standard
Carga de puerta (Qg)
Standard
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
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Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
Standard
Tipo de instalación
Standard
Campo de aplicación
Household appliances, 3c digital, Measuring instrument, Security equipment, Lighting electronics
Marca
UMW
Modelo
SI2307
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
New year
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
3.5A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
Standard
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
Standard
Carga de puerta (Qg)
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Tiempo de recuperación inversa
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Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
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Tipo de instalación
Standard
Campo de aplicación
Household appliances, 3c digital, Measuring instrument, Security equipment, Lighting electronics
Detalles del producto
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O1CN01EraVpB25G8GIJvOlH_!!2206








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