Nuevo original en stock IRFR9310PBF 400V 1.8A encapsulado TO-252 transistor de efecto de campo MOS canal P

Name: Nuevo original en stock IRFR9310PBF 400V 1.8A encapsulado TO-252 transistor de efecto de campo MOS canal P
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Transistor de efeito de campo MOS canal P NCE60P04R novo original, pacote SOT-223, 4,3A/60V
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Transistor SMD original novo IRLR024NTRPBF TO-252-3 canal N 55V/17A
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Tubo MOS de canal N SUD50N02-09P novo e original 20V20A 6.5W TO252 tubo de efeito de campo em estoque
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Em estoque Original NTD4909NT4G 41A 30v SMD TO-252 Canal N Transistor de Efeito de Campo de Potência MOS
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Novo original em estoque IPD160N04L G 40V 30A patch TO-252 Canal N MOS Transistor de Efeito de Campo
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Novo tubo MOS de canal N original STD30NF04LT 30A 40V TO252 tubo de efeito de campo em estoque
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Novo original em estoque IRFR9014NTRR patch TO-252 MOS Canal P 60V 5.1A transistor de efeito de campo
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Novo original em estoque IRFR9220PBF patch TO252 tubo MOS canal P 200V 3.6A tubo de efeito de campo
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Novo original à vista IRFRC20TRLPBF 600V 2A SMD TO-252 Canal N MOS transistor de efeito de campo
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Novo original em estoque IPD144N06N 60V 50A SMD TO-252 Canal N MOS Tubo de Efeito de Campo
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Em estoque original SUD09P10-195 8.8A 100V encapsulamento TO252 transistor de efeito de campo MOS de potência canal P
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Em estoque Original NVD5484NLT4G 54A 60V SMD TO-252 Canal N Tubo de Efeito de Campo MOS de Potência
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Especificaciones del producto

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Número de lote

2020

Campo de aplicación

Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Network Communicat...

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2020

Campo de aplicación

Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Network Communicat...

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2020

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