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Irf6894Mtrpbfirf6894M Serigrafía 689425V32A Transistor de Efecto de Campo Mos Smd
110 días
$11.436 pedido mín (200 uds)
Proveedor 4.0
Cantidad
SMD
Especificaciones del producto
Marca
Hongxinwei
Modelo
IRF6894MTRPBF
Encapsulación
SMD
Número de lote
2025
Tipo de transistor
N channel
Tensión de ruptura colector-emisor (VCEO)
-
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
25 V
Corriente de drenaje (Id)
-
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
-
Disipación máxima de potencia
2.1W(Ta),54W(Tc)
Rango de temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C(TJ)
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
3C digital
Marca
Hongxinwei
Modelo
IRF6894MTRPBF
Encapsulación
SMD
Número de lote
2025
Tipo de transistor
N channel
Tensión de ruptura colector-emisor (VCEO)
-
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
25 V
Corriente de drenaje (Id)
-
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
-
Disipación máxima de potencia
2.1W(Ta),54W(Tc)
Rango de temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C(TJ)
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
3C digital
Marca
Hongxinwei
Modelo
IRF6894MTRPBF
Encapsulación
SMD
Número de lote
2025
Tipo de transistor
N channel
Tensión de ruptura colector-emisor (VCEO)
-
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
25 V
Corriente de drenaje (Id)
-
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
-
Disipación máxima de potencia
2.1W(Ta),54W(Tc)
Rango de temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C(TJ)
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
3C digital
Detalles del producto
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