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SVF2N65F Transistor de efeito de campo N-channel MOS 2A 650V plástico selado plugue direto TO-220F original
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
SILAN
Modelo
SVF2N65F
Encapsulamento
TO-220F-3L
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650 V
Corrente de drenagem (Id)
2 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
4.8 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
5.83 nC
Tempo de recuperação reversa
368.88 ns
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
SILAN
Modelo
SVF2N65F
Encapsulamento
TO-220F-3L
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650 V
Corrente de drenagem (Id)
2 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
4.8 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
5.83 nC
Tempo de recuperação reversa
368.88 ns
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Marca
SILAN
Modelo
SVF2N65F
Encapsulamento
TO-220F-3L
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650 V
Corrente de drenagem (Id)
2 A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
4.8 Ω
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 30 V
Carga do Portão (Qg)
5.83 nC
Tempo de recuperação reversa
368.88 ns
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55~+150 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Detalhes do produto
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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro
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