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NCE65T1K2K Transistor de efecto de campo MOS de potencia de canal N 650V 4A enchufe directo TO-252 nuevo original
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65T1K2K
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
650V
Corriente de drenaje (Id)
4A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
1.1 Ω @ 10V,2A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250% A
Disipación máxima de potencia
41W
Tipo de configuración
N channel
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalación
N channel
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65T1K2K
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
650V
Corriente de drenaje (Id)
4A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
1.1 Ω @ 10V,2A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250% A
Disipación máxima de potencia
41W
Tipo de configuración
N channel
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalación
N channel
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65T1K2K
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
650V
Corriente de drenaje (Id)
4A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
1.1 Ω @ 10V,2A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4v @ 250% A
Disipación máxima de potencia
41W
Tipo de configuración
N channel
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalación
N channel
Detalles del producto
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Total
Entrega
IVA
Otro
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