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NCE3080IA Transistor de efecto de campo MOS de potencia de canal N, 30 V, 80 A, conector directo TO-251, nuevo y original
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Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
New clean energy
Modelo
NCE3080IA
Encapsulación
TO-251
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
80A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
6.5 Mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1.4V
Disipación máxima de potencia
83W
Tipo de configuración
N channel
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalación
Through Hole
Marca
New clean energy
Modelo
NCE3080IA
Encapsulación
TO-251
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
80A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
6.5 Mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1.4V
Disipación máxima de potencia
83W
Tipo de configuración
N channel
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalación
Through Hole
Marca
New clean energy
Modelo
NCE3080IA
Encapsulación
TO-251
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
80A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
6.5 Mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1.4V
Disipación máxima de potencia
83W
Tipo de configuración
N channel
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalación
Through Hole
Detalles del producto
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Total
Entrega
IVA
Otro
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