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Transistor de efecto de campo MOS de potencia de canal N NCE65T680F, 650 V, 7 A, conector directo TO-220F, nuevo y original.
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65T680F
Encapsulación
TO-220F
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
650V
Corriente de drenaje (Id)
7A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
600mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4V
Disipación máxima de potencia
31.4W
Tipo de configuración
N channel
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalación
Through Hole
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65T680F
Encapsulación
TO-220F
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
650V
Corriente de drenaje (Id)
7A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
600mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4V
Disipación máxima de potencia
31.4W
Tipo de configuración
N channel
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalación
Through Hole
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65T680F
Encapsulación
TO-220F
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
650V
Corriente de drenaje (Id)
7A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
600mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
4V
Disipación máxima de potencia
31.4W
Tipo de configuración
N channel
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalación
Through Hole
Detalles del producto
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Total
Entrega
IVA
Otro
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