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Transistor de efecto de campo MOS de doble canal N IRF7103TRPBF F7103 SOP-8 original nuevo 50V/3A
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Proveedor 4.0
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Especificaciones del producto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF7103TRPBF
Encapsulación
SOP-8
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
2 N channels
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
50V
Corriente de drenaje (Id)
3A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
130mΩ @ 10V,3A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
3v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
30nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55°C to 150°C
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF7103TRPBF
Encapsulación
SOP-8
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
2 N channels
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
50V
Corriente de drenaje (Id)
3A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
130mΩ @ 10V,3A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
3v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
30nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55°C to 150°C
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF7103TRPBF
Encapsulación
SOP-8
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
2 N channels
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
50V
Corriente de drenaje (Id)
3A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
130mΩ @ 10V,3A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
3v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
30nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55°C to 150°C
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
Security equipment
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