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Tubo MOSFET IRF7313TRPBF F7313 SOIC-8 de canal n dual, 30 V/6,5 A, nuevo y original
110 días
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Proveedor 4.0
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Producto seleccionado
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Especificaciones del producto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF7313TRPBF
Encapsulación
New batch in new year
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
2 N channels
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
6.5A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
29mΩ @ 10V,5.8A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
33nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55°C to 150°C
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF7313TRPBF
Encapsulación
New batch in new year
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
2 N channels
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
6.5A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
29mΩ @ 10V,5.8A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
33nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55°C to 150°C
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF7313TRPBF
Encapsulación
New batch in new year
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
2 N channels
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
6.5A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
29mΩ @ 10V,5.8A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
1v @ 250uA
Carga de puerta (Qg)
33nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Standard
Disipación máxima de potencia
Standard
Tipo de configuración
Standard
Rango de temperatura de funcionamiento
-55°C to 150°C
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
Security equipment
Detalles del producto
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