Categoria do produto: MOSFET
RoHS: Não
Tecnologia: Si
Estilo de instalação: Through Hole
Pacote/Caixa: TO-220-3
Polaridade do transistor: canal P
Número de canais: 1 canal
Tensão de ruptura Vds-dreno-fonte: 60 V
Id-Corrente de dreno contínua: 30 A
Rds On-Drain-Source Resistência On: 65 mOhms
Vgs - Tensão de porta-fonte: - 20 V, + 20 V
Temperatura mínima de operação: - 55 C
Temperatura máxima de operação: + 175 C
Pd - Dissipação de potência: 135 W
Modo de canal: Aprimoramento
Marca registrada: onsemi / Fairchild
Configuração: Único
Tempo de queda: 18 ns
Altura: 16,3 mm
Comprimento: 10,67 mm
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de subida: 23 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 canal P
Tempo típico de atraso de desligamento: 28 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 15 ns
Largura: 4,7 mm
Peso unitário: 2 g







