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Produtos originais genuínos NCE01P30K SMD TO-252-2 100 V30A P Canal MOSFET transistor de efeito de campo

110 dias

Mín. R$ 1.099 (1.121 un.)

Fornecedor 4.0

Quantidade

NCE01P30K

Correspondências exatas por um preço menor

de R$ 0,81
Original NCE01P30K 30H15K H10K 40H12K 60P50K 60P12K 30H12K TO252
Mín. R$ 1.702 (2.101 un.)
Fornecedor 4.0
de R$ 1,16
NCE30P30K/xinjiannen-30v-30a Transistor de Efeito de Campo MOS de Potência Melhorado de Canal P TO-252
Mín. R$ 2.900 (2.500 un.)
Fornecedor 4.0
de R$ 2,04
Xinjianneng/NCE01P30K-30a-100v Transistor de efeito de campo MOS de canal P aprimorado TO-252 original
Mín. R$ 5.100 (2.500 un.)
Fornecedor 4.0
de R$ 2,26
NCE30P30K TO-252 Canal P -30V -30A Transistor de Efeito de Campo MOS novo original
Mín. R$ 4.943 (2.168 un.)
Produto 5.0
Fornecedor 4.5
de R$ 2,40
Novo Original Nce01P30K Nce30H15K Nce30H10K Embalado Chip Ic de Montagem em Superfície To-252
Mín. R$ 8.066 (3.361 un.)
Fornecedor 4.0
de R$ 2,44
Novo pacote de energia limpa NCE01P30K TO-252 -100V/-30A canal P MOS FET
Mín. R$ 2.440 (1.000 un.)
Fornecedor 4.0
de R$ 2,59
Novo Original Nce01P30K To-252 Canal P 100V 30A Transistor de Efeito de Campo Mos
Mín. R$ 3.484 (1.345 un.)
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Fornecedor 4.5

Especificações do produto

Marca

Shuangsheng core

Número do lote

2024

Campo de aplicação

Industrial consumption of electronic products

Especificações

NCE01P30K

Marca

Shuangsheng core

Número do lote

2024

Campo de aplicação

Industrial consumption of electronic products

Especificações

NCE01P30K

Marca

Shuangsheng core

Número do lote

2024

Campo de aplicação

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Especificações

NCE01P30K

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