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Novo pacote de STL90N6F7 original PowerFLAT(5x6) transistor de efeito de campo (MOSFETs)
110 dias
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Especificações do produto
Marca
ST
Modelo
STL90N6F7
Encapsulamento
PowerFLAT(5x6)
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60 V
Corrente de drenagem (Id)
90A(Tc)
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
5.4 mOhms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
25 nC
Tempo de recuperação reversa
4V @ 250µA
Dissipação máxima de potência
4.8W(Ta),94W(Tc)
Tipo de Configuração
1
Faixa de temperatura operacional
175°C(TJ)
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
ST
Modelo
STL90N6F7
Encapsulamento
PowerFLAT(5x6)
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60 V
Corrente de drenagem (Id)
90A(Tc)
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
5.4 mOhms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
25 nC
Tempo de recuperação reversa
4V @ 250µA
Dissipação máxima de potência
4.8W(Ta),94W(Tc)
Tipo de Configuração
1
Faixa de temperatura operacional
175°C(TJ)
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
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ST
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STL90N6F7
Encapsulamento
PowerFLAT(5x6)
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60 V
Corrente de drenagem (Id)
90A(Tc)
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
5.4 mOhms
Tensão porta-fonte (Vgs)
-20 V, +20V
Carga do Portão (Qg)
25 nC
Tempo de recuperação reversa
4V @ 250µA
Dissipação máxima de potência
4.8W(Ta),94W(Tc)
Tipo de Configuração
1
Faixa de temperatura operacional
175°C(TJ)
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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