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Novo original SI2305CDS-T1-GE3 N5 *** SOT-23 Canal P 8V/5.8A transistor de efeito de campo

Name: Novo original SI2305CDS-T1-GE3 N5 *** SOT-23 Canal P 8V/5.8A transistor de efeito de campo atacado
Availability: InStock

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Especificações do produto

Marca

Shunbaijia

Modelo

SI2305CDS-T1-GE3

Encapsulamento

SOT-23

Número do lote

New batch in new year

Tipo de transistor

P channel

Tensão da fonte de drenagem (Vdss)

Corrente de drenagem (Id)

5.8A

Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)

35mΩ@4.5V,4.4A

Tensão porta-fonte (Vgs)

1v @ 250uA

Carga do Portão (Qg)

30nC @ 8V

Tempo de recuperação reversa

Standard

Dissipação máxima de potência

960

Tipo de Configuração

Standard

Faixa de temperatura operacional

-55 ℃ ~ +150 ℃

Tipo de instalação

Surface mount

Campo de aplicação

Security equipment

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5.8A

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35mΩ@4.5V,4.4A

Tensão porta-fonte (Vgs)

1v @ 250uA

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Corrente de drenagem (Id)

5.8A

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35mΩ@4.5V,4.4A

Tensão porta-fonte (Vgs)

1v @ 250uA

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Tempo de recuperação reversa

Standard

Dissipação máxima de potência

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Tipo de Configuração

Standard

Faixa de temperatura operacional

-55 ℃ ~ +150 ℃

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Detalhes do produto

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