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Novo original SI2305CDS-T1-GE3 N5 *** SOT-23 Canal P 8V/5.8A transistor de efeito de campo

Name: Novo original SI2305CDS-T1-GE3 N5 *** SOT-23 Canal P 8V/5.8A transistor de efeito de campo atacado
Price: 6.552036 RUB
Availability: InStock

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Ao3404 30V Tubo de Efecto de Campo de Canal N Mos
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Mmbf170 Transistor de Efecto de Campo de Canal N Mejorado
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Irlml5203 Sot23 Smd Tubo de Efecto de Campo Mos N-Canal Mosfet
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Nuevo tubo MOS AP2045K TO-252 de 20 V y 1 V de arranque bajo, repuesto CSD20N45, disponible
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NCE3080KA NCE3080K TO-252 Transistor de efecto de campo MOS de canal N único mejorado
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$2.939 pedido mín (1.814 uds)
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Especificações do produto

Marca

Shunbaijia

Modelo

SI2305CDS-T1-GE3

Encapsulamento

SOT-23

Número do lote

New batch in new year

Tipo de transistor

P channel

Tensão da fonte de drenagem (Vdss)

Corrente de drenagem (Id)

5.8A

Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)

35mΩ@4.5V,4.4A

Tensão porta-fonte (Vgs)

1v @ 250uA

Carga do Portão (Qg)

30nC @ 8V

Tempo de recuperação reversa

Standard

Dissipação máxima de potência

960

Tipo de Configuração

Standard

Faixa de temperatura operacional

-55 ℃ ~ +150 ℃

Tipo de instalação

Surface mount

Campo de aplicação

Security equipment

Marca

Shunbaijia

Modelo

SI2305CDS-T1-GE3

Encapsulamento

SOT-23

Número do lote

New batch in new year

Tipo de transistor

P channel

Tensão da fonte de drenagem (Vdss)

Corrente de drenagem (Id)

5.8A

Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)

35mΩ@4.5V,4.4A

Tensão porta-fonte (Vgs)

1v @ 250uA

Carga do Portão (Qg)

30nC @ 8V

Tempo de recuperação reversa

Standard

Dissipação máxima de potência

960

Tipo de Configuração

Standard

Faixa de temperatura operacional

-55 ℃ ~ +150 ℃

Tipo de instalação

Surface mount

Campo de aplicação

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Marca

Shunbaijia

Modelo

SI2305CDS-T1-GE3

Encapsulamento

SOT-23

Número do lote

New batch in new year

Tipo de transistor

P channel

Tensão da fonte de drenagem (Vdss)

Corrente de drenagem (Id)

5.8A

Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)

35mΩ@4.5V,4.4A

Tensão porta-fonte (Vgs)

1v @ 250uA

Carga do Portão (Qg)

30nC @ 8V

Tempo de recuperação reversa

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Dissipação máxima de potência

960

Tipo de Configuração

Standard

Faixa de temperatura operacional

-55 ℃ ~ +150 ℃

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