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Novo Original IMZ1A T108 SOT163 Transistor Bipolar Transistor de Junção Bipolar (BJT)

110 dias
Mín. R$ 1.176 (3.361 un.)
Fornecedor 4.5

Quantidade

SOT-163
Especificações do produto
Marca
ROHM
Modelo
IMZ1A T108
Encapsulamento
SOT-163
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
Bipolar transistor
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
+7 V, - 6 V
Corrente máxima do coletor (Icm)
0.15 A
Tensão de saturação coletor-emissor
-50 V, +50V
Fator de amplificação atual (hFE)
PDF
Frequência característica
PDF
Dissipação máxima de energia
300
Faixa de temperatura operacional
-55 C +150 C
Tipo de instalação
Patch
Campo de aplicação
Household appliances
Marca
ROHM
Modelo
IMZ1A T108
Encapsulamento
SOT-163
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
Bipolar transistor
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
+7 V, - 6 V
Corrente máxima do coletor (Icm)
0.15 A
Tensão de saturação coletor-emissor
-50 V, +50V
Fator de amplificação atual (hFE)
PDF
Frequência característica
PDF
Dissipação máxima de energia
300
Faixa de temperatura operacional
-55 C +150 C
Tipo de instalação
Patch
Campo de aplicação
Household appliances
Marca
ROHM
Modelo
IMZ1A T108
Encapsulamento
SOT-163
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
Bipolar transistor
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
+7 V, - 6 V
Corrente máxima do coletor (Icm)
0.15 A
Tensão de saturação coletor-emissor
-50 V, +50V
Fator de amplificação atual (hFE)
PDF
Frequência característica
PDF
Dissipação máxima de energia
300
Faixa de temperatura operacional
-55 C +150 C
Tipo de instalação
Patch
Campo de aplicação
Household appliances
Detalhes do produto
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