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Transistor de efeito de campo MOS de canal N duplo 50V/3A IRF7103TRPBF F7103 SOP-8 novo e original
110 dias
Mín. R$ 1.134 (600 un.)
Fornecedor 4.0
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Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF7103TRPBF
Encapsulamento
SOP-8
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
2 N channels
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
50V
Corrente de drenagem (Id)
3A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
130mΩ @ 10V,3A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
30nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de potência
Standard
Tipo de Configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55°C to 150°C
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF7103TRPBF
Encapsulamento
SOP-8
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
2 N channels
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
50V
Corrente de drenagem (Id)
3A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
130mΩ @ 10V,3A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
30nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de potência
Standard
Tipo de Configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55°C to 150°C
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRF7103TRPBF
Encapsulamento
SOP-8
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
2 N channels
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
50V
Corrente de drenagem (Id)
3A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
130mΩ @ 10V,3A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3v @ 250uA
Carga do Portão (Qg)
30nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de potência
Standard
Tipo de Configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55°C to 150°C
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Security equipment
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