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Transistor original do efeito de campo IRFR5305TRPBF do MOSFET da canaleta 55V/31A de FR5305 TO-252 P FR5305 TO-252 P

110 dias
Mín. R$ 1.758 (600 un.)
Fornecedor 4.0

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Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR5305TRPBF
Encapsulamento
TO-252
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
55V
Corrente de drenagem (Id)
31A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
65mΩ @ 10V,16A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250% A
Carga do Portão (Qg)
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Tempo de recuperação reversa
Refer to PDF
Dissipação máxima de potência
110
Tipo de Configuração
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Faixa de temperatura operacional
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Tipo de instalação
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Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR5305TRPBF
Encapsulamento
TO-252
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
55V
Corrente de drenagem (Id)
31A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
65mΩ @ 10V,16A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250% A
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Dissipação máxima de potência
110
Tipo de Configuração
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Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR5305TRPBF
Encapsulamento
TO-252
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
55V
Corrente de drenagem (Id)
31A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
65mΩ @ 10V,16A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250% A
Carga do Portão (Qg)
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Dissipação máxima de potência
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