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Pen Drive Pan Cun 2G4G8G Memória para Notebook de Baixa Voltagem DDR3L 1600V 1.35V Placa-Mã de Mini Host
110 dias
Mín. R$ 10.960 (80 un.)
Fornecedor 4.0
Variantes
2GB
4GB
8GB
Produtos similares a um preço mais baixo
Especificações do produto
Marca
Pan Cun
Modelo
PCD3SO2G135
Tipo aplicável
Notebook
Tipo de memória
DDRIII
Frequência da Memória
DDR3 1333
Número de pinos
204PIN
Encapsulamento de partículas
BGA
Tamanho do produto
67.6mm*30mm
Peso do produto
0.09
Suporte à entrega de uma peça
Support
Fatura
Invoice Not provided
Embalagem
Bulk
Tipo de Transferência
DDR3
Forma de combinação
Single bar
Capacidade de memória
2GB, 4GB, 8GB
Marca
Pan Cun
Modelo
PCD3SO2G135
Tipo aplicável
Notebook
Tipo de memória
DDRIII
Frequência da Memória
DDR3 1333
Número de pinos
204PIN
Encapsulamento de partículas
BGA
Tamanho do produto
67.6mm*30mm
Peso do produto
0.09
Suporte à entrega de uma peça
Support
Fatura
Invoice Not provided
Embalagem
Bulk
Tipo de Transferência
DDR3
Forma de combinação
Single bar
Capacidade de memória
2GB, 4GB, 8GB
Marca
Pan Cun
Modelo
PCD3SO2G135
Tipo aplicável
Notebook
Tipo de memória
DDRIII
Frequência da Memória
DDR3 1333
Número de pinos
204PIN
Encapsulamento de partículas
BGA
Tamanho do produto
67.6mm*30mm
Peso do produto
0.09
Suporte à entrega de uma peça
Support
Fatura
Invoice Not provided
Embalagem
Bulk
Tipo de Transferência
DDR3
Forma de combinação
Single bar
Capacidade de memória
2GB, 4GB, 8GB
Detalhes do produto
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Memória DDR3/DDR4
Características:
Chips novos originais cuidadosamente selecionados
Especificação: NB
Frequência: DDR3: 1333MHz / 1600MHz
DDR4：2400MHz / 2666MHz
Capacidade: DDR3: 2 GB/4 GB/8 GB
DDR4: 4 GB/8 GB/16 GB
Temperatura de trabalho: 0℃~70℃
SO-DIMM de baixa tensão de 1,35 V
Estabilidade ultra-alta, excelente compatibilidade
Parâmetros de desempenho
| Parâmetros de especificação do módulo de memória DDR3/DDR4 NB | ||
| Parâmetros de memória | Nome do Produto | PCDDR3L-NB-XXGB PCDDR4L-NB-XXGB |
| Período de trabalho | CL=11, TRCD=11, TRP=11 | |
| Capacidade de memória | DDR3: 2 GB, 4 GB, 8 GB DDR4：4 GB，8 GB，16 GB | |
| Modelo de chip | DDR3L/DDR4L | |
| Estrutura do chip | 1R*8 ； 2R*8 | |
| Marca de chips | Samsung | |
| ECC | nenhum | |
| AMORTECEDOR | nenhum | |
| Modelo PCB | ZH84BS801 | |
| Requerimentos ambientais | Temperatura de operação | 0℃~85℃ |
| Umidade de trabalho | Temperatura relativa: 10%~90% | |
| temperatura de armazenamento | -50℃~100℃ | |
| Umidade de armazenamento | Umidade relativa: 5%~95% | |
| Pressão de armazenamento de trabalho | 69~105 KPa | |
| SPD | O SPD deve estar em conformidade com os requisitos dos padrões JEDEC DDR3/DDR4 | |
| Parâmetros de desempenho da placa PCB | Material | FR-4 |
| Espessura do produto acabado | 1,0+-0,1 mm | |
| Espessura do níquel ouro: Ω | Au：2-3u/Ni：120-140u | |
| Espessura da linha | 0,075 mm | |
| Espaçamento entre linhas | 0,1mm | |
| Dobramento e empenamento de placas | <0,75% | |
| Teste de soldabilidade | IPC-TM650 | |
| Tinta resistente a solda | Preto (espessura de 0,1 mm ou mais) | |
| Tamanho de peça única | 30,00*67,6+-0,1 mm | |
| impedância | Terminação simples 60 Ohm±10% Diferencial 95/100Ohm±15% | |
| Número de camadas | Placa de 8 camadas | |
| Tensão de alimentação e parâmetros CC: | ||
| parâmetro | Valor mínimo (V) | Valor máximo (V) |
| VDD (tensão de alimentação) | 1.283 | 1,45 |
| VDDQ (tensão de alimentação de E/S) | 1.283 | 1,45 |
| VREF (tensão de referência de E/S) | 0,49*VDD | 0,51*VDD |
| VTT (tensão de terminação de E/S (sistema)) | VREF-0,04 | VREF+0,04 |
Total