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1 de 6
Transistor Mos de Efeito de Campo Canal N 30N06 To-252 Grande Chip Doméstico 30A 60V Fluxo Total 30N06 Montagem em Superfície
90 dias
Mín. R$ 1.580 (2.025 un.)
Produto 5.0
Fornecedor 4.5
Quantidade
30N06
Correspondências exatas por um preço menor
de
R$ 0,34
Transistor Mos de Efeito de Campo 20N06 To-252 Chip Grande Doméstico 20A 60V Canal N Corrente Total 20N06 Smd
Mín. R$ 1.339 (2.677 un.)
Produto 4.9
Fornecedor 4.5
de
R$ 0,37
Transistor de efeito de campo 60N03 Canal N MOS grande chip 60A 30v fluxo de pé baixa resistência interna patch TO-252
Mín. R$ 1.362 (2.390 un.)
Produto 5.0
Fornecedor 4.5
de
R$ 0,59
Transistor de Efeito de Campo Mos 50N06 To-252 de Chip Grande Doméstico 50A 60V Canal N Corrente Total 50N06 Smd
Mín. R$ 1.251 (1.455 un.)
Produto 5.0
Fornecedor 4.5
de
R$ 0,69
30N06 Produção de Taiwan chip grande MOS de efeito de campo canal N 30A 60V fluxo de pé baixa resistência interna plug-in TO-220
Mín. R$ 1.168 (1.217 un.)
Produto 5.0
Fornecedor 4.5
Produtos similares a um preço mais baixo
de
R$ 0,31
Transistor de efeito de campo MOSFET de canal N padrão 60A/20V, encapsulamento TO-252, 50N02. Novo em estoque.
Mín. R$ 1.425 (2.909 un.)
Fornecedor 4.0
de
R$ 0,33
Transistor de efeito de campo MOSFET de canal N padrão 60A/20V, encapsulamento TO-252, 60N02. Novo em estoque.
Mín. R$ 1.392 (2.677 un.)
Fornecedor 4.0
de
R$ 0,33
CI regulador de tensão de três terminais 78M05 1,2A 5V corrente de pé patch 7805 encapsulamento TO-252
Mín. R$ 1.338 (2.788 un.)
Produto 4.9
Fornecedor 4.5
de
R$ 0,34
Silício Controlado Bidirecional de Corrente Total BT136S-800E 4A800V Chip Grande BT136 Montagem em Superfície TO-252
Mín. R$ 1.422 (2.788 un.)
Fornecedor 4.5
de
R$ 0,35
60N03 pacote TO-252 60A/30V transistor de efeito de campo MOSFET de canal n padrão Novo em estoque
Mín. R$ 1.467 (2.574 un.)
Fornecedor 4.0
de
R$ 0,37
Transistor de efeito de campo MOSFET de canal N padrão 80A/30V, pacote TO-252 80N03, novo em estoque
Mín. R$ 1.410 (2.390 un.)
Fornecedor 4.0
de
R$ 0,37
Transistor de efeito de campo MOSFET de canal N padrão 80A/20V, pacote TO-252 80N02 Novo em estoque
Mín. R$ 1.386 (2.390 un.)
Fornecedor 4.0
de
R$ 0,37
50N03 Chip Grande Doméstico com Parâmetros Suficientes Canal N 50A 30V Tubo Mos Smd To-252 com Fluxo Suficiente e Baixa Resistência Interna
Mín. R$ 1.434 (2.390 un.)
Produto 5.0
Fornecedor 4.5
de
R$ 0,37
80N03 Produção de Taiwan chip grande parâmetro do pé N canal 80A 30v tubo MOS de montagem em superfície TO-252 fluxo de pé baixa resistência interna
Mín. R$ 1.458 (2.390 un.)
Produto 5.0
Fornecedor 4.5
de
R$ 0,39
MOSFET de efeito de campo canal N padrão 60A/60V, encapsulamento TO-252 60N06, novo em estoque
Mín. R$ 1.316 (2.231 un.)
Fornecedor 4.0
de
R$ 1,25
30N06;FQU30N06 MOS FET de Canal N TO-251 60V 30A Novo Original de Fábrica
Mín. R$ 5.140 (2.570 un.)
Produto 5.0
Fornecedor 5.0
de
R$ 1,33
Taiwan FQD30N03 30N03 TO-252 Canal N Chip Grande MOS FET em estoque Fornecimento
Mín. R$ 4.253 (2.025 un.)
Fornecedor 5.0
Especificações do produto
Marca
Rwtnf/ruitengfeng
Número do lote
25+
Tipo de Configuração
Mosfet field effect transistor
Especificações
30N06
Tempo de recuperação reversa
Contact customer service
Marca
Rwtnf/ruitengfeng
Número do lote
25+
Tipo de Configuração
Mosfet field effect transistor
Especificações
30N06
Tempo de recuperação reversa
Contact customer service
Marca
Rwtnf/ruitengfeng
Número do lote
25+
Tipo de Configuração
Mosfet field effect transistor
Especificações
30N06
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