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SI1024X-T1-E3 pacote SOT563 novo efeito de campo de remendo original MOS tubo de chip de circuito integrado

110 dias
Mín. R$ 2.919 (2.393 un.)
Fornecedor 4.0

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Especificações do produto
Marca
Original factory
Modelo
SI1024X-T1-E3
Encapsulamento
SOT-563
Número do lote
New batch
Tipo de transistor
Field effect transistor
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
Reference Specification
Corrente de drenagem (Id)
Reference Specification
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Reference Specification
Tensão porta-fonte (Vgs)
Reference Specification
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de potência
88
Tipo de Configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
Reference Specification
Tipo de instalação
Patch
Campo de aplicação
Smart Home
Marca
Original factory
Modelo
SI1024X-T1-E3
Encapsulamento
SOT-563
Número do lote
New batch
Tipo de transistor
Field effect transistor
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
Reference Specification
Corrente de drenagem (Id)
Reference Specification
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Reference Specification
Tensão porta-fonte (Vgs)
Reference Specification
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de potência
88
Tipo de Configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
Reference Specification
Tipo de instalação
Patch
Campo de aplicação
Smart Home
Marca
Original factory
Modelo
SI1024X-T1-E3
Encapsulamento
SOT-563
Número do lote
New batch
Tipo de transistor
Field effect transistor
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
Reference Specification
Corrente de drenagem (Id)
Reference Specification
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Reference Specification
Tensão porta-fonte (Vgs)
Reference Specification
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de potência
88
Tipo de Configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
Reference Specification
Tipo de instalação
Patch
Campo de aplicação
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