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Novo pacote de patch AOD409 TO-252-2 MOS transistor de efeito de campo P canal 60V 26A

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de MX$ 1,35
Nuevo parche SI1308EDL-T1-GE3 SOT23 serigrafía KG tubo de efecto de campo mos Canal N tubo mos
$3.124 pedido mín (2.314 uds)
Proveedor 4.0
de MX$ 1,42
Fotocoplador EL354N(ejército de reserva)-VG EL354 SOP-4 transistor de doble canal Nuevo en stock
$3.177 pedido mín (2.237 uds)
Proveedor 4.0
de MX$ 1,66
Artículos originales genuinos Paquete de parches AOD4185 TO-252 Tubo de efecto de campo MOS de canal P 40V/40A
$3.094 pedido mín (1.864 uds)
Proveedor 4.0
de MX$ 1,74
Paquete QM3004D TO252 serigrafía M3004D transistor de efecto de campo tubo MOS 55A-78A 30v triodo
$3.073 pedido mín (1.766 uds)
Producto 5.0
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de MX$ 1,83
FQD60N03 20N06 50N06 30N06 13N06 13N10 encapsulado TO-252 transistor de efecto de campo MOS
$3.071 pedido mín (1.678 uds)
Producto 5.0
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de MX$ 2,08
Nuevo transistor de efecto de campo MOS SOP-8 AO4459 4459 original importado, canal P, 30 V, 6,5 A
$3.103 pedido mín (1.492 uds)
Proveedor 4.5
de MX$ 2,09
Paquete FDN352AP SOT-23 serigrafía 52AP SMD transistor de efecto de campo MOS 30v 1.3A transistor
$2.985 pedido mín (1.428 uds)
Proveedor 4.0
de MX$ 2,21
BSS131H6327 paquete SOT23-3 SMD Canal N 240V 0.11A Transistor de efecto de campo MOS
$2.968 pedido mín (1.343 uds)
Proveedor 4.0
de MX$ 2,23
Paquete AO4826 SOP-8 serigrafía 4826 parche doble canal N 60V/6.3A transistor de efecto de campo MOS
$2.995 pedido mín (1.343 uds)
Proveedor 4.0
de MX$ 2,23
Nuevo original AOD403/407/409/4184/413A/4185/484/442/4132 transistor de efecto de campo MOS
$2.995 pedido mín (1.343 uds)
Proveedor 4.0
de MX$ 2,63
Transistor de efecto campo MOSFET de parche de canal P SOT-23 con encapsulado N7 de serigrafía SI2307CDS-T1-GE3
$2.943 pedido mín (1.119 uds)
Proveedor 4.0
de MX$ 2,65
Paquete HY19P03D TO-252 original Huayi micro parche canal P 30v 90A transistor de efecto de campo MOS
$2.965 pedido mín (1.119 uds)
Producto 5.0
Proveedor 4.0

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Especificações do produto

Marca

Shenzhen Ding Jiyuan Electronic Technology

Modelo

AOD409

Encapsulamento

TO-252

Número do lote

New batch

Tipo de transistor

Field effect transistor

Tensão da fonte de drenagem (Vdss)

60

Corrente de drenagem (Id)

26

Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)

Reference Specification

Tensão porta-fonte (Vgs)

Reference Specification

Carga do Portão (Qg)

Reference Specification

Tempo de recuperação reversa

Reference Specification

Dissipação máxima de potência

88

Tipo de Configuração

Reference Specification

Faixa de temperatura operacional

Reference Specification

Tipo de instalação

Patch

Campo de aplicação

Smart Home

Marca

Shenzhen Ding Jiyuan Electronic Technology

Modelo

AOD409

Encapsulamento

TO-252

Número do lote

New batch

Tipo de transistor

Field effect transistor

Tensão da fonte de drenagem (Vdss)

60

Corrente de drenagem (Id)

26

Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)

Reference Specification

Tensão porta-fonte (Vgs)

Reference Specification

Carga do Portão (Qg)

Reference Specification

Tempo de recuperação reversa

Reference Specification

Dissipação máxima de potência

88

Tipo de Configuração

Reference Specification

Faixa de temperatura operacional

Reference Specification

Tipo de instalação

Patch

Campo de aplicação

Smart Home

Marca

Shenzhen Ding Jiyuan Electronic Technology

Modelo

AOD409

Encapsulamento

TO-252

Número do lote

New batch

Tipo de transistor

Field effect transistor

Tensão da fonte de drenagem (Vdss)

60

Corrente de drenagem (Id)

26

Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)

Reference Specification

Tensão porta-fonte (Vgs)

Reference Specification

Carga do Portão (Qg)

Reference Specification

Tempo de recuperação reversa

Reference Specification

Dissipação máxima de potência

88

Tipo de Configuração

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Campo de aplicação

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