A3212ELHLT-t Smd Micropower Chave Hall de Travamento Bipolar SOT-23 Serigrafia 12e/212

A3212ELHLT-T SMD Micropower Bipolar Latching Hall Effect Switch SOT-23 Marcação 12E/212

Aplicação: Celular, PHS, Telefone sem fio, Notebook, Circuito flip de PDA, Medidor de água remoto inteligente, Contagem de medidor de gás remoto inteligente

A serigrafia pode ser diferente para diferentes produtos eletrônicos de diferentes marcas e anos. As imagens na Internet são apenas para referência. Consulte os produtos reais enviados. Se você tiver algum requisito especial, entre em contato com o atendimento ao cliente primeiro.

Interruptor de Efeito Hall Micropotência, Ultra-SensívelA3211eA3212Series

Características e benefícios

AEC-Q100Certificação Automotiva

Operação de micropower

existirNExtremo ouSCorrendo no poste

2,5para3,5 VOperação da bateria

Estado Estável do Chopper

Excelente estabilidade de temperatura

especialBaixo desvio do ponto de comutação

certoTrabalho físicoInsensibilidade à pressão

altoESDFunção protetora

Confiabilidade de estado sólido

mini

Fácil de fabricar, com independência de polos magnéticos

ilustrar

A3211eA3212O circuito integrado é um interruptor de efeito Hall ultrassensível, independente de polaridade, com uma saída digital travada.

Estes dispositivos são particularmente adequados para dispositivos portáteis alimentados por bateria, como telefones celulares e sem fio, pagers e dispositivos portáteiscarregarcomputador.2,5para3,5 Voperação e um esquema de marcação de ponto exclusivo através2,75 VA fonte de alimentação reduz o requisito médio de potência operacional para menos de15μW。

Ao contrário de outros interruptores de efeito Hall, ele tem força suficienteNExtremo ouSO extremo abriráA3212A saída na ausência de um campo magnético, a saída é desligada.A3211Uma saída invertida é fornecida. A independência de polaridade e os requisitos mínimos de energia permitem que esses dispositivos substituam facilmente os interruptores Reed para confiabilidade superior e facilidade de fabricação, eliminando também a necessidade de condicionamento de sinal.

Isso reduz a tensão de offset residual tipicamente causada pela sobremoldagem do dispositivo, dependências de temperatura e tensões térmicas através de estabilização por chopper (cancelamento dinâmico de offset).

O dispositivo inclui em um único chip de silício um gerador de tensão Hall, um amplificador de sinal pequeno, estabilização por chopper, um latch e umTransistor de efeito de campoSaída. AvançadoCMOSO processamento é usado para aproveitar os baixos requisitos de tensão e energia, a compatibilidade de componentes, erros de offset de entrada muito baixos e geometrias de componentes menores.

Quatro tiposencapsulamentoestilos fornecem soluções magneticamente otimizadas para a maioria das aplicações.

Pequeno baixoformaMontagem em superfícieencapsulamentotipoEHeEL(Altura nominal é0,75e0,50mm) é material sem chumbo,

ESÉ um3AgulhaformadeSMD,eUAÉ um suporte de três pinos com montagem through-hole.

A embalagem é livre de chumbo, com um sufixo de100%Estrutura de chumbo estanhada fosca.

Perceber:

por favor entre em contatoAlegropara obter opções adicionais de embalagem e manuseio.

A3211EELLT-T A3212EELLT-T A3212EELHT-TporDFNencapsulamentoOs produtos Allegro vendidos não são adequados para aplicações automotivas.

A variante não está mais em produção. O dispositivo não deve ser usado para novas aplicações de design. Amostras não estão mais disponíveis.

Data de alteração do status:2015Ano06lua1dia(A3212EEHLT-T),2015Ano12lua1dia(A3211EEHLT-T）。

A3211ELHLT-T A3212ELHLT-TPara vendas automotivas, por favor, entre em contato com um Engenheiro de Aplicação de Campo.

A3211EELLT-T A3212EELLT-TA variante está em produção, mas foi identificada como a última comprada. Esta classificação indica que o produto está obsoleto e um aviso foi emitido. As vendas deste dispositivo estão atualmente restritas.dpara aplicações de clientes existentes. Dispositivos não devem ser adquiridos para aplicações de novo design no futuro próximo. Amostras não estão mais disponíveis. Data da mudança de status:2016Ano9lua1Dia.