Máquina de Expansão de Filme de Chip de LED de Alta Precisão 4 Polegadas 6 Polegadas 7 Polegadas 8 Polegadas 10 Polegadas 12 Polegadas Máquina de Expansão de Cristal

110 dias
Mín. R$ 52.535 (7 un.)
Fornecedor 4.0

Variantes

4inch reflow oven machine
6inch reflow oven machine
7inch reflow oven machine
Especificações do produto
Marca
null
Modelo
HE4-12
Uso
Semiconductor packaging chip expansion
Alias
Film expansion machine
Especificações
4inch reflow oven machine, 6inch reflow oven machine, 7inch reflow oven machine, 8inch reflow oven machine, 10...
Marca
null
Modelo
HE4-12
Uso
Semiconductor packaging chip expansion
Alias
Film expansion machine
Especificações
4inch reflow oven machine, 6inch reflow oven machine, 7inch reflow oven machine, 8inch reflow oven machine, 10...
Marca
null
Modelo
HE4-12
Uso
Semiconductor packaging chip expansion
Alias
Film expansion machine
Especificações
4inch reflow oven machine, 6inch reflow oven machine, 7inch reflow oven machine, 8inch reflow oven machine, 10...
Detalhes do produto
O texto nas imagens pode ser traduzido

Cultivador Manual de Cristais 4–12 Polegadas Introdução Detalhada

1. Posicionamento do produto

Esta máquina manual de expansão de cristal de 4–12 polegadas é um equipamento especializado para os processos de back-end de encapsulamento de semicondutores, LED, dispositivos discretos e Mini/Micro LED. É usada principalmente para a expansão uniforme do filme azul/filme UV em wafers após o corte (dicing), para aumentar o espaçamento entre os dies, prevenir lascamento, colisão e adesão, e atender aos requisitos de processos subsequentes como colagem de die (die bonding), coleta de die (die picking), dispensação e teste.
Toda a máquina é otimizada de forma abrangente em cinco dimensões principais: rigidez estrutural, precisão operacional, uniformidade do controle de temperatura, adaptabilidade a grandes tamanhos e segurança e facilidade de uso, com base em modelos manuais tradicionais. Ela também considera baixo custo, alta confiabilidade e facilidade de manutenção, tornando-a adequada para laboratórios, produção experimental em pequenos lotes, oficinas de reparo e fábricas de embalagens de pequeno e médio porte.

 

II. Parâmetros de Especificação Principal (Versão Otimizada)

- Tamanhos de wafer aplicáveis: 4/5/6/8/10/12 polegadas, compatibilidade de uma tecla, sem necessidade de trocar moldes
- Método de expansão: Levantamento por parafuso de precisão manual + Posicionamento por pino guia
- Curso de expansão: 0–30mm ajustável continuamente
- Faixa de controle de temperatura: Temperatura ambiente~100℃
- Precisão do controle de temperatura: ±1℃ (controle em malha fechada PID)
- Planicidade da plataforma de aquecimento: ≤0,02mm
- Fixação do Anel de Crescimento de Cristal: Prensagem Excêntrica / Liberação Rápida (Versão Otimizada)
- Materiais de membrana aplicáveis: Filme azul, Filme UV, Filme termossensível, Filme de proteção de wafer
- Fonte de gás de trabalho: Nenhuma fonte de gás necessária (totalmente manual, sem pneumático)
- Fonte de Alimentação: AC220V 50Hz
- Dimensões gerais da máquina: Aprox. 450×400×550mm (modelo de 12 polegadas)
- Peso líquido: aprox. 28–35kg

 

III. Pontos de Otimização Abrangentes para Estrutura e Desempenho

1. Otimização de Cremalheira e Transmissão

- Utiliza tubos quadrados espessados + base fundida de precisão, resultando em um centro de gravidade mais baixo, garantindo operação estável e sem desvios.
- Guia de precisão de coluna dupla + acionamento por fuso trapezoidal, sensação uniforme, sem travamento
- O mecanismo de elevação adiciona amortecimento e tamponamento para evitar o impacto e o rasgo do diafragma causados pela pressão descendente rápida.
- Adicionar blocos de limite à fuso para evitar danos por excesso de curso ao wafer

2. Otimização de compatibilidade com wafers de tamanho grande (suporta 4–12 polegadas)

- A superfície da bancada de trabalho é projetada de acordo com o padrão de wafer de 12 polegadas, com um layout simétrico central
- A placa de suporte para anel de crescimento de cristal é projetada de forma escalonada e compatível, permitindo que anéis de crescimento de cristal padrão de 4 a 12 polegadas sejam colocados diretamente sem a troca de peças.
- O anel de pressão externo usa uma estrutura de liberação rápida, tornando o aperto mais estável e a força do diafragma mais uniforme

3. Atualização do sistema de aquecimento (otimização chave)

- A placa de aquecimento é fundida como um bloco único de alumínio para aquecimento uniforme sem superaquecimento localizado.
- Sensor PT100 de alta precisão embutido, display digital de temperatura, temperatura constante pode ser definida
- Superfície da placa de aquecimento: Anodizada dura + revestimento antiaderente, filme antiaderente, fácil de limpar
- Adicionada proteção contra superaquecimento e desligamento automático para evitar queimar a seco

4. Otimização da operação humanizada

- Design de volante antiderrapante ampliado, ajuste fino mais fácil
- A escala indica claramente a distância de expansão, permitindo processos repetíveis.
- A bancada é equipada com pés niveladores ajustáveis para acomodar pisos irregulares
- Cantos arredondados, sem arestas cortantes, operação mais segura

5. Otimização da uniformidade do estiramento da membrana

- Precisão concêntrica aprimorada entre o disco de suporte central e o anel de pressão externo, garantindo nenhuma excentricidade durante o estiramento do diafragma
- Levante lenta e uniformemente para evitar o deslocamento dos grãos e o tombamento causados por tensão súbita
- Adequado para epitaxia de baixo estresse de grãos pequenos, wafers ultrafinos, Mini/Micro LEDs

 

IV. Fluxo do Processo (Fluxo Simples Otimizado)

1. Ligue e pré-aqueça, ajuste a temperatura (comumente 50–60℃)
2. Coloque o wafer + filme azul no anel de crescimento de cristal e prenda-o no lugar
3. Coloque na plataforma de aquecimento e pré-aqueça a uma temperatura constante por dezenas de segundos
4. Gire lentamente o volante, a plataforma sobe para esticar o filme azul
5. Mantenha a pressão e defina a forma após atingir a distância de expansão definida.
6. Deixe esfriar por um momento, remova o anel de crescimento de cristais e prossiga para a próxima etapa.

 

V. Vantagens Essenciais Otimizadas

1. Totalmente compatível com tamanhos de 4 a 12 polegadas, um substitui vários, economizando espaço e custo
2. Estrutura puramente manual, sem necessidade de fonte de ar, taxa de falha extremamente baixa, manutenção simples
3. Controle de temperatura mais uniforme e estável, o diafragma é menos propenso à deformação e ao enrugamento
4. Expansão de baixo estresse, os grãos são menos propensos a lascar, deslocar ou desprender, resultando em um rendimento maior.
5. Tamanho pequeno e peso leve, pode ser movido e posicionado livremente, adequado para laboratórios e pequenos lotes
6. Simples e fácil de operar, novos funcionários podem se tornar proficientes em pouco tempo.
7. Alta rigidez e longa vida útil, adequado para produção manual de alta intensidade a longo prazo

 

VI. Campos de Aplicação

- Dispositivos semicondutores discretos (diodos, transistores, MOSFETs)
- Produção experimental em pequenos lotes de LEDs tradicionais, Mini/Micro LEDs
- Crescimento de cristal de silício de 8/12 polegadas para laboratório, reparo
- Alimentar dispositivos, sensores, expansão de wafer antes do encapsulamento QFN
- Reparo de wafer, retrabalho, pré-tratamento antes da retirada do die

 

Sete, Público-Alvo

- Planta de Processamento de Pacotes Pequenos
- Institutos de pesquisa científica, laboratórios universitários
- Oficina de Retrabalho e Teste de Chips
- Empresa de fabricação e comércio de componentes eletrônicos

Total